イオン注入サービス
HZDR Innovation社のイオン注入サービス
セラミックフォーラムでは、HZDR Innovation社によるSi?SiC?GaN?GaAsなどの基板へのイオン注入サービスを提供しています。
中でも特徴的なのは、6MVの高エネルギーイオン注入機を用いたサービスであり、?50MeVの注入を行うことでSiCへ深さ10μmの注入も実現しています。
H?Heなどの軽元素を使ってのライフタイム制御、B, P, Asを用いてのドーピングや電界制御など、パワーデバイス向けに必要とされる仕様のイオン注入に対応しています。
その他、mi-2Factory社のフィルタ式イオン注入サービスも承っています。
応用例
- SiウエハへのH?He注入を用いたライフタイム制御?。ē靴铹`デバイス向け）
- SiC へのN?Al?B注入 深さ~10μm超 （パワーデバイス向け）
- SiC へのB?P?As注入を用いたドーピングや電界制御
関連製品／サービス
製品メーカー案內
HZDR Innovation 社（ドイツ、Dresden）
ドイツ有數のR&D機関であるHelmholtz-Zentrum のDresden 研究所が保有する、世界でもトップレベル（?50MeV）の高エネルギーイオン注入機を用いて、産業界に貢獻する目的で設立されたスピンアウトベンチャー。
現在では、3種類（2MV? 3MV? 6MV）のイオン注入器を用いて、歐米を中心に13カ國にわたる製造企業、研究機関へ注入サービスを提供している。