GaN エピキタシーサービス
Seen社のGaN エピキタシーサービス
セラミックフォーラムでは、2016年よりSeen社のGaNエピキタシーサービスの取り扱いを開始しました。
Seen社では、20年以上の経験を持った技術者により低転位密度（EPD）を誇るエピキタシーサービスを実現しています。GaNではn型と半絶縁型（抵抗率109?1012Ωcm2)で、転位密度104/cm2のサービスを提供することができます。
GaN自立基板?サファイヤ?Si?SiC?InP?GaAsなど、さまざまな基板をベースとし、GaN?SiC?グラフェン?InAs?InPなど多様なエピキタシー層を成膜することができます。
C面だけでなく非極性面?半極性面への成膜も対応可能です。
Seen社では、20年以上の経験を持った技術者により低転位密度（EPD）を誇るエピキタシーサービスを実現しています。GaNではn型と半絶縁型（抵抗率109?1012Ωcm2)で、転位密度104/cm2のサービスを提供することができます。
GaN自立基板?サファイヤ?Si?SiC?InP?GaAsなど、さまざまな基板をベースとし、GaN?SiC?グラフェン?InAs?InPなど多様なエピキタシー層を成膜することができます。
C面だけでなく非極性面?半極性面への成膜も対応可能です。
対応可能なエピキタシー構造例
?GaNパワーデバイス（HEMT?Diode）
?GaN高周波デバイス（HEMT）
?グラフェン層 ?LED?レーザー
?VCSEL?バラクター
など
?GaN高周波デバイス（HEMT）
?グラフェン層 ?LED?レーザー
?VCSEL?バラクター
など
仕様
仕様書については下記ページをご覧下さい? Seen Semiconductors社の製品ページ
関連商品?サービス
製品メーカー案內
Seen Semiconductor社（ポーランド）
ポーランド科學アカデミー高圧物理學研究所より2011年にスピンアウト。GaN?InP?GaAs?AlGaN?AlNなどのⅢ-Ⅴ屬のエピタキシャル成長を得意としている。複雑な構造でも少量から対応できる柔軟性の高さも特長。