窒化物半導體 (GaN/AlN)
GaN（ガリウムナイトライド）とAlN（アルミニウムナイトライド）は、次世代半導體の代表格ともいえる材料です。SiC （シリコンカーバイド）と並び、パワーデバイスに適した物理特性（高絶縁耐圧と低導通抵抗）を持ち、大幅な機器の小型化?高効率化を実現できます。青色LED、レーザーダイオードを始めとした発光素子の主要材料として確固たる市場性を持つ一方、太陽電池や人工光合成などへの応用も期待される大きなポテンシャルをもつ材料です。
私たちはシリコンカーバイド半導體も取り扱っております。ご興味のある方は、ご確認ください。
GaN 単結晶基板
パワーデバイスの小型化?効率化を目指し採用が広がるGaN基板。舊Ammono社のアモノサーマル法による単結晶基板と、Nanowin社のHVPE法による単結晶基板を取り扱っています。
他品質?多彩な仕様を取り揃えています。
GaN エピキタシーサービス
Seen社の提供するGaNを初めとするAlInGaN?InAlGaAs?SiC?グラフェンなどに対応するエピキタシー成膜サービスです。
Seen社の低転位密度パラメータを実現できる技術で、多様なベース基板に対応した、高品質のサービスを提供します。
GaN/AlN テンプレート
GaN単結晶よりも低コストなため、研究?開発に多く用いられているGaN/AlNテンプレートを取り扱っています。膜厚均一性の高いNanowin社のGaN/AlNテンプレートを、小ロットからオーダーを受け付けています。
GaN-on-SiCエピウエハ
SweGaN社の提供する、主に「光電子移動度トランジスタ(HEMT)」向けのエピウエハを取り扱っています。
QuanFINE?構造という獨自のHEMTヘテロ構造により、現在のパワーデバイスが抱える困難への有効な解決策をご提案します。
半極性GaNテンプレート
Saphlux社製の4インチサファイア基板の上に直接製膜した、半極性(20-21)GaNのテンプレートを取り扱っています。
半極性でありながら、積層欠陥のほとんどないテンプレートとして、近年注目を浴び始めています。
高溫高圧アニールサービス
UNIPRESSが提供するGaN試料などのアニールサービスです。
GaN試料などの圧力2GPaまで、溫度2000Kまで、様々な條件のアニールサービスの対応が可能です。